EMA3T2R數據表
Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 供應商設備包裝 EMT5 |
Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 供應商設備包裝 UMT5 |
Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 50V 電阻-基本(R1) 4.7kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 250µA, 5mA 當前-集電極截止(最大值) 500nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-74A, SOT-753 供應商設備包裝 SMT5 |