EMB11FHAT2R數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 Automotive, AEC-Q101 晶體管類型 2 PNP Pre-Biased (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） - 電阻-基本（R1） 10kOhms 電阻-發射極基（R2） 10kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） - 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 EMT6 |
