EMF8T2R數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA, 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V, 12V 電阻-基本（R1） 47kOhms 電阻-發射極基（R2） 47kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值） 500nA 頻率-過渡 250MHz, 320MHz 功率-最大 150mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SOT-563, SOT-666 供應商設備包裝 EMT6 |
