EPC2018數據表
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制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 N-Channel 技術 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓(Vdss) 150V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 12A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 25mOhm @ 6A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 3mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 7.5nC @ 5V Vgs(最大) +6V, -5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 540pF @ 100V FET功能 - 功耗(最大值) - 工作溫度 -40°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Die 包裝/箱 Die |