EPC2105ENG數據表









制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓(Vdss) 80V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 9.5A, 38A Rds On(Max)@ Id,Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 2.5mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 2.5nC @ 5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 300pF @ 40V 功率-最大 - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 Die 供應商設備包裝 Die |
制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓(Vdss) 80V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 9.5A Rds On(Max)@ Id,Vgs 14.5mOhm @ 20A, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 2.5mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 2.5nC @ 5V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 300pF @ 40V 功率-最大 - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 Die 供應商設備包裝 Die |