EPC8009數據表
EPC 制造商 EPC 系列 eGaN® FET類型 N-Channel 技術 GaNFET (Gallium Nitride) 漏極至源極電壓(Vdss) 65V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 2.7A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th)(最大)@ ID 2.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 0.45nC @ 5V Vgs(最大) +6V, -4V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 52pF @ 32.5V FET功能 - 功耗(最大值) - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 Die 包裝/箱 Die |