FDB4020P數據表
FDB4020P數據表
總頁數: 5
大小: 78.73 KB
ON Semiconductor
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 80mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 13nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 665pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 37.5W (Tc) 工作溫度 -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 TO-263AB 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 16A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 80mOhm @ 8A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 13nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 665pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 37.5W (Tc) 工作溫度 -65°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
