FDD86110數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 100V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12.5A (Ta), 50A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10.2mOhm @ 12.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 35nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2265pF @ 50V FET功能 - 功耗（最大值） 3.1W (Ta), 127W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-PAK (TO-252) 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
