FDG6321C-F169數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N and P-Channel FET功能 Logic Level Gate 漏極至源極電壓（Vdss） 25V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 500mA (Ta), 410mA (Ta) Rds On（Max）@ Id，Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 2.3nC @ 4.5V, 1.5nC @ 4.5V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 10V, 62pF @ 10V 功率-最大 300mW 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
