FDN327N數據表





制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 2A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 6.3nC @ 4.5V Vgs(最大) ±8V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 423pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 500mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SuperSOT-3 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |