FDS6162N3數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 20V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 21A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4.5mOhm @ 21A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 73nC @ 4.5V Vgs（最大） ±12V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5521pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 3W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 8-SO 包裝/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
