FDU6680數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Ta), 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 18nC @ 5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1230pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 3.3W (Ta), 56W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 I-PAK 包裝/箱 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 12A (Ta), 46A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4.5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10mOhm @ 12A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 18nC @ 5V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1230pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 3.3W (Ta), 56W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-PAK (TO-252) 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
