FDZ293P數據表





制造商 ON Semiconductor 系列 PowerTrench® FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 20V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 4.6A (Ta) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On(Max)@ Id,Vgs 46mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs(th)(最大)@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 11nC @ 4.5V Vgs(最大) ±12V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 754pF @ 10V FET功能 - 功耗(最大值) 1.7W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 9-BGA (1.5x1.6) 包裝/箱 9-VFBGA |