FDZ3N513ZT數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1.1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 3.2V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 462mOhm @ 300mA, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1nC @ 4.5V Vgs（最大） +5.5V, -0.3V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 85pF @ 15V FET功能 Schottky Diode (Body) 功耗（最大值） 1W (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 4-WLCSP (0.96x0.96) 包裝/箱 4-UFBGA, WLCSP |
