FF200R17KE3S4HOSA1數據表
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Infineon Technologies
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FF200R17KE3S4HOSA1, FF200R17KE4HOSA1
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 * IGBT類型 - 配置 - 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) - 當前-集電極(Ic)(最大值) - 功率-最大 - Vce(on)(Max)@ Vge,Ic - 當前-集電極截止(最大值) - 輸入電容(Cies)@ Vce - 輸入 - NTC熱敏電阻 - 工作溫度 - 安裝類型 - 包裝/箱 - 供應商設備包裝 - |
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 - IGBT類型 Trench Field Stop 配置 2 Independent 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1700V 當前-集電極(Ic)(最大值) 310A 功率-最大 1250W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.3V @ 15V, 200A 當前-集電極截止(最大值) 1mA 輸入電容(Cies)@ Vce 18nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 Module 供應商設備包裝 Module |