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FGB30N6S2數據表

FGB30N6S2數據表
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ON Semiconductor
此數據表涵蓋了3零件號: FGB30N6S2, FGB30N6S2T, FGP30N6S2
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FGB30N6S2

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

108A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

6ns/40ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

FGB30N6S2T

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

108A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 110µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

6ns/40ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB

FGP30N6S2

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

108A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

167W

開關能量

55µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

6ns/40ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220-3