FGD3N60LSDTM-T數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 6A 電流-集電極脈沖（Icm） 25A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.5V @ 10V, 3A 功率-最大 40W 開關能量 250µJ (on), 1mJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 12.5nC 25°C時的Td（開/關） 40ns/600ns 測試條件 480V, 3A, 470Ohm, 10V 反向恢復時間（trr） 234ns 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 TO-252, (D-Pak) |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 6A 電流-集電極脈沖（Icm） 25A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.5V @ 10V, 3A 功率-最大 40W 開關能量 250µJ (on), 1mJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 12.5nC 25°C時的Td（開/關） 40ns/600ns 測試條件 480V, 3A, 470Ohm, 10V 反向恢復時間（trr） 234ns 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 D-Pak |
