FGL60N100BNTDTU數據表
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ON Semiconductor
此數據表涵蓋了2零件號:
FGL60N100BNTDTU, FGL60N100BNTD
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT and Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1000V 當前-集電極（Ic）（最大值） 60A 電流-集電極脈沖（Icm） 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.9V @ 15V, 60A 功率-最大 180W 開關能量 - 輸入類型 Standard 門禁費用 275nC 25°C時的Td（開/關） 140ns/630ns 測試條件 600V, 60A, 51Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 1.2µs 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-264-3, TO-264AA 供應商設備包裝 TO-264-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT and Trench 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1000V 當前-集電極（Ic）（最大值） 60A 電流-集電極脈沖（Icm） 120A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.9V @ 15V, 60A 功率-最大 180W 開關能量 - 輸入類型 Standard 門禁費用 275nC 25°C時的Td（開/關） 140ns/630ns 測試條件 600V, 60A, 51Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 1.2µs 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-264-3, TO-264AA 供應商設備包裝 TO-264-3 |
