FGPF10N60UNDF數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 20A 電流-集電極脈沖（Icm） 30A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.45V @ 15V, 10A 功率-最大 42W 開關能量 150µJ (on), 50µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 37nC 25°C時的Td（開/關） 8ns/52.2ns 測試條件 400V, 10A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 37.7ns 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220F |
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 Field Stop 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 40A 電流-集電極脈沖（Icm） 60A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.4V @ 15V, 20A 功率-最大 165W 開關能量 380µJ (on), 260µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 63nC 25°C時的Td（開/關） 13ns/87ns 測試條件 400V, 20A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） 35ns 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
