FH102A-TR-E數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 10V 頻率-過渡 7GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 1dB @ 1GHz 增益 12dB 功率-最大 500mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 90 @ 20mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值） 70mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 6-MCP |
