FJC1963RTF數據表
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ON Semiconductor
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 450mV @ 150mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值） 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 180 @ 500mA, 2V 功率-最大 500mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 SOT-89-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 450mV @ 150mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值） 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 500mA, 2V 功率-最大 500mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 SOT-89-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 450mV @ 150mA, 1.5A 當前-集電極截止（最大值） 500nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 280 @ 500mA, 2V 功率-最大 500mW 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 SOT-89-3 |
