FJN3313RBU數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2） 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V 電阻-基本（R1） 2.2 kOhms 電阻-發射極基（R2） 47 kOhms 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 68 @ 5mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 500µA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
