FJNS4210RTA數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 頻率-過渡 200MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Pre-Biased 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 40V 電阻-基本(R1) 10 kOhms 電阻-發射極基(R2) - 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 頻率-過渡 200MHz 功率-最大 300mW 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body 供應商設備包裝 TO-92S |