FJP3305H2數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 1A, 4A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 26 @ 1A, 5V 功率-最大 75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 1A, 4A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 19 @ 1A, 5V 功率-最大 75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 1A, 4A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 19 @ 1A, 5V 功率-最大 75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 1A, 4A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 19 @ 1A, 5V 功率-最大 75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 1A, 4A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 26 @ 1A, 5V 功率-最大 75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 400V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 1A, 4A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 8 @ 2A, 5V 功率-最大 75W 頻率-過渡 4MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
