FJY3011R數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Pre-Biased 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V 電阻-基本（R1） 22 kOhms 電阻-發射極基（R2） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 1mA, 5V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 頻率-過渡 250MHz 功率-最大 200mW 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-89, SOT-490 供應商設備包裝 SOT-523F |
