FMM110-015X2F數據表
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制造商 IXYS 系列 GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ FET類型 2 N-Channel (Dual) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 150V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 53A Rds On（Max）@ Id，Vgs 20mOhm @ 55A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4.5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 150nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 8600pF @ 25V 功率-最大 180W 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 i4-Pac™-5 供應商設備包裝 ISOPLUS i4-PAC™ |
