FP7G75US60數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 Power-SPM™ IGBT類型 - 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 75A 功率-最大 310W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.8V @ 15V, 75A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 4.515nF @ 30V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 EPM7 供應商設備包裝 EPM7 |
