FQB1N60TM數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 600V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 1.2A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 11.5Ohm @ 600mA, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 5V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 6nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 150pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 3.13W (Ta), 40W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D²PAK (TO-263AB) 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |