FQPF8N80CYDTU數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.55Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 45nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2050pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 59W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220F-3 (Y-Forming) 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.55Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 45nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2050pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 59W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220F 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
制造商 ON Semiconductor 系列 QFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.55Ohm @ 4A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 45nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2050pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 178W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220-3 包裝/箱 TO-220-3 |
