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FST8380M數據表

FST8380M數據表
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GeneSiC Semiconductor
此數據表涵蓋了4零件號: FST8380M, FST8360M, FST8345M, FST83100M
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FST8380M數據表 頁面 3
FST8380M

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

80V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

80A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D61-3M

供應商設備包裝

D61-3M

FST8360M

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

80A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D61-3M

供應商設備包裝

D61-3M

FST8345M

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

80A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

650mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D61-3M

供應商設備包裝

D61-3M

FST83100M

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

二極管配置

1 Pair Common Cathode

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

80A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 80A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 20V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D61-3M

供應商設備包裝

D61-3M