GA35XCP12-247數據表
GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - IGBT類型 PT 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) - 電流-集電極脈沖(Icm) 35A Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 3V @ 15V, 35A 功率-最大 - 開關能量 2.66mJ (on), 4.35mJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 50nC 25°C時的Td(開/關) - 測試條件 800V, 35A, 22Ohm, 15V 反向恢復時間(trr) 36ns 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247AB |