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GA35XCP12-247數據表

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GeneSiC Semiconductor
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GA35XCP12-247

GeneSiC Semiconductor

制造商

GeneSiC Semiconductor

系列

-

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

35A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 35A

功率-最大

-

開關能量

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

800V, 35A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

36ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AB