GB100XCP12-227數據表
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制造商 GeneSiC Semiconductor 系列 - IGBT類型 PT 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 100A 功率-最大 - Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2V @ 15V, 100A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 輸入電容（Cies）@ Vce 8.55nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SOT-227-4 供應商設備包裝 SOT-227 |
