GP1M009A050HS數據表
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Global Power Technologies Group
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GP1M009A050HS, GP1M009A050FSH
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制造商 Global Power Technologies Group 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 850mOhm @ 4.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 24nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1195pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 127W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 包裝/箱 TO-220-3 |
制造商 Global Power Technologies Group 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 8.5A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 850mOhm @ 4.25A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 24nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1195pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 39W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220F 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
