GP1M011A050H數據表
Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 500V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 11A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 670mOhm @ 5.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 28nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1423pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 158W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 包裝/箱 TO-220-3 |
Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 500V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 11A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 670mOhm @ 5.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 28nC @ 10V Vgs(最大) ±30V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 1423pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 51.4W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220F 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |