GT10G131(TE12L數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了1零件號:
GT10G131(TE12L,Q)
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 400V 當前-集電極（Ic）（最大值） - 電流-集電極脈沖（Icm） 200A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.3V @ 4V, 200A 功率-最大 1W 開關能量 - 輸入類型 Standard 門禁費用 - 25°C時的Td（開/關） 3.1µs/2µs 測試條件 - 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 供應商設備包裝 8-SOP (5.5x6.0) |
