HAT1069C-EL-E數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 12V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.8V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 52mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID 1.2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 16nC @ 4.5V Vgs（最大） ±8V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1380pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 900mW (Ta) 工作溫度 150°C 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 6-CMFPAK 包裝/箱 6-SMD, Flat Leads |
