HGT1N40N60A4D數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 110A 功率-最大 298W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 40A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce - 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC 供應商設備包裝 SOT-227B |
