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HGT1S20N36G3VL數據表

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ON Semiconductor
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HGT1S20N36G3VL

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

395V

當前-集電極(Ic)(最大值)

37.7A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

28.7nC

25°C時的Td(開/關)

-/15µs

測試條件

300V, 10A, 25Ohm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

供應商設備包裝

I2PAK (TO-262)