HGT1S20N60A4S9A數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 70A 電流-集電極脈沖（Icm） 280A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.7V @ 15V, 20A 功率-最大 290W 開關能量 105µJ (on), 150µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 142nC 25°C時的Td（開/關） 15ns/73ns 測試條件 390V, 20A, 3Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供應商設備包裝 TO-263AB |
