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HGT1S7N60A4DS數據表

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ON Semiconductor
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HGT1S7N60A4DS

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 7A

功率-最大

125W

開關能量

55µJ (on), 60µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

37nC

25°C時的Td(開/關)

11ns/100ns

測試條件

390V, 7A, 25Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263AB