HGTD1N120BNS9A數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 5.3A 電流-集電極脈沖（Icm） 6A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2.9V @ 15V, 1A 功率-最大 60W 開關能量 70µJ (on), 90µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 14nC 25°C時的Td（開/關） 15ns/67ns 測試條件 960V, 1A, 82Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 TO-252AA |
