HGTD3N60C3S9A數據表
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 - 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 6A 電流-集電極脈沖（Icm） 24A Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 2V @ 15V, 3A 功率-最大 33W 開關能量 85µJ (on), 245µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 10.8nC 25°C時的Td（開/關） - 測試條件 480V, 3A, 82Ohm, 15V 反向恢復時間（trr） - 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供應商設備包裝 TO-252AA |
