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HGTD7N60C3S9A數據表

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ON Semiconductor
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HGTD7N60C3S9A

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

14A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 7A

功率-最大

60W

開關能量

165µJ (on), 600µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

TO-252AA