HGTG10N120BND數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - IGBT類型 NPT 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 1200V 當前-集電極(Ic)(最大值) 35A 電流-集電極脈沖(Icm) 80A Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.7V @ 15V, 10A 功率-最大 298W 開關能量 850µJ (on), 800µJ (off) 輸入類型 Standard 門禁費用 100nC 25°C時的Td(開/關) 23ns/165ns 測試條件 960V, 10A, 10Ohm, 15V 反向恢復時間(trr) 70ns 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247-3 |