HN3C51F-GR(TE85L數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了2零件號:
HN3C51F-GR(TE85L,F, HN3C51F-BL(TE85L,F
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 2mA, 6V 功率-最大 300mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-74, SOT-457 供應商設備包裝 SM6 |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 2 NPN (Dual) 當前-集電極（Ic）（最大值） 100mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 120V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 350 @ 2mA, 6V 功率-最大 300mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-74, SOT-457 供應商設備包裝 SM6 |
