HS54095TZ-E數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 600V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 200mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 16.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 4.8nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 66pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 750mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-92-3 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
