IAUS200N08S5N023ATMA1數據表
IAUS200N08S5N023ATMA1數據表
總頁數: 9
大小: 225.88 KB
Infineon Technologies
此數據表涵蓋了1零件號:
IAUS200N08S5N023ATMA1
|
制造商 Infineon Technologies 系列 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 80V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 200A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 6V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.8V @ 130µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 110nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7670pF @ 40V FET功能 - 功耗（最大值） 200W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-HSOG-8-1 包裝/箱 8-PowerSMD, Gull Wing |
