IPA50R650CEXKSA2數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS™ CE FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 4.6A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs（th）（最大）@ ID 3.5V @ 150µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 15nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 342pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 27.2W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 Full Pack 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack |
