IPD06P005LATMA1數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 OptiMOS™ FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 6.5A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 250mOhm @ 6.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 2V @ 270µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 13.8nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 420pF @ 30V FET功能 - 功耗(最大值) 28W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-TO252-3 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |