IPD50R1K4CEBTMA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 CoolMOS™ CE FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 3.1A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 13V Rds On（Max）@ Id，Vgs 1.4Ohm @ 900mA, 13V Vgs（th）（最大）@ ID 3.5V @ 70µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 178pF @ 100V FET功能 - 功耗（最大值） 25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PG-TO252-3 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
